场效应管（JFET）是一种三电极半导体器件，由源、漏、栅三个电极组成。
它的工作原理是栅电压的变化导致源漏电流的变化。栅极接一般负偏压，使内部的pn结倒置，栅极前面形成一个空间电荷区域，在这个区域内，栅电场产生的强电场能改变沟道中电子密度而影响沟道导电性。沟道导电性越差，场效应管的电流就越小。而栅极电势增加时，空间电荷区向沟道逐渐扩展，从而使栅极的影响范围变大，因而导致电流变小。源极和漏极电势相同，呈现为共源极式放大电路。
由此可见，场效应管的输出电流与输入电压有关，属于电压控制型半导体器件。它的特点是：输入电阻高，输出电阻低，升压能力强，工作频率高。应用场合以低噪音放大器、大信号放大器、高速开关等为主。
使用场效应管时，需要注意应用方式的选择，根据场效应管的不同特点，选择合适的工作方式，使得其在工作过程中表现得更加稳定可靠。
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